Intel réexamine le marché de la mémoire. Son PDG, Lip-Bu Tan, a suggéré que la situation actuelle des marchés de la DRAM et de la mémoire IA ouvre la voie à de nouvelles technologies. Plus intrigante encore est sa proposition d'une intégration étroite de la mémoire au processeur. Pendant des années, la mémoire était principalement un marché de masse pour Intel. Aujourd'hui, la situation est différente. La demande croissante de DRAM et de HBM de la part des centres de données et des systèmes d'intelligence artificielle a fait de la mémoire un composant essentiel de l'infrastructure informatique. Lip-Bu Tan a reconnu avoir autrefois jugé peu intéressant d'investir dans la mémoire en raison de sa nature de produit de base. Aujourd'hui, il estime que le marché offre des opportunités technologiques bien plus nombreuses. Le PDG d'Intel a évoqué l'un de ses projets préférés liés à la nouvelle architecture mémoire, sans toutefois en dévoiler les détails. Il a mentionné l'embauche de Seok-Hee Lee, un ancien cadre de SK Hynix qui a rejoint Intel et possède une solide expérience dans le secteur de la mémoire.

Tan a également suggéré une piste qui pourrait s'avérer particulièrement importante pour les futurs processeurs. Il estime qu'il est pertinent d'explorer de nouvelles façons de connecter le processeur à la mémoire, notamment en envisageant de placer la mémoire directement sur le processeur. Cette idée est particulièrement importante pour les systèmes nécessitant une bande passante mémoire massive. En intelligence artificielle, la distance entre les unités de calcul et la mémoire, ainsi que la bande passante de connexion, constituent actuellement des contraintes de conception essentielles. Les déclarations du PDG pourraient également être liées à des informations précédemment divulguées concernant la technologie XBM d'Intel. L'entreprise travaille sur une solution pour la mémoire HBM qui utilisera une conception d'interconnexion différente de l'interposeur en silicium classique. On ignore encore s'il s'agit du projet auquel Tan fait référence en parlant de sa « nouvelle architecture de mémoire ». Intel n'a pas non plus révélé si cette technologie est destinée à ses propres processeurs, accélérateurs d'IA ou futurs produits d'infrastructure.

L'idée d'un retour à la mémoire ne serait pas totalement nouvelle pour Intel. L'entreprise a débuté en 1968 en tant que fabricant de puces mémoire. Dans les années 1980, Intel s'est retiré de ce marché face à la concurrence croissante des fabricants japonais. L'entreprise a ensuite tenté à plusieurs reprises de réintégrer le secteur de la mémoire, notamment avec les technologies NAND, Optane et 3D XPoint. Cependant, aucune de ces initiatives n'est devenue un pilier durable de l'activité d'Intel. La situation actuelle est inédite. La demande des centres de données d'IA stimule les ventes des types de mémoire les plus avancés, et les fabricants de DRAM font état de taux d'utilisation des capacités très élevés. Le simple fait de s'intéresser à une nouvelle architecture de mémoire ne signifie pas qu'Intel va produire de la DRAM en masse. Développer une activité compétitive exigerait des investissements massifs dans les usines, le développement technologique et l'augmentation des capacités de production. Intel investit simultanément dans le développement de ses propres procédés de production et de ses fonderies. Un retour à la production de mémoire nécessiterait des capitaux supplémentaires et des technologies capables de concurrencer Samsung, SK Hynix et Micron.

Pour l'instant, le principal enseignement de la déclaration de Tan est qu'Intel considère à nouveau la mémoire comme un domaine prometteur pour les avancées technologiques. L'intégration de la mémoire et des processeurs pourrait être l'une des pistes que l'entreprise entend explorer plus avant.