Samsung a débuté la production de masse de la mémoire vive DDR4 de 16 et 32 Go. Dans un premier temps, cette RAM sera destinée aux Data Center, avant d'arriver sur les produits grand public probablement fin 2014. La DDR4 de 4 Gbits est gravée avec une finesse de classe 20 nm (20 à 29 nm) sont 1,25 fois plus rapides (2,667 Mb/s) que la DDR3 gravée en 20 nm, tout en offrant une consommation électrique 30 % plus basse.