![Matériel Matériel](images/news/categories/hardware.png)
La nouveauté devrait venir du PRAM (Phase change Random Access Memory) connu aussi sous le nom de PCM (Phase Change Memory). Alors qu'on est passé de 75 à 25 nanomètres pour la technologie actuelle, le PCM pourrait aller jusqu'à 6 nanomètres avec des vitesses 500 fois supérieures tout en utilisant la moitié de l'énergie actuelle pour l'écriture.
Le PCM est actuellement en plein combat de coqs entre IBM, Intel, Samsung et les autres géants mais nous ne devrions pas voir ces technologies avant 2012 dans nos poches... sauf miracle!
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didix:
La mémoire flash jusqu'à 500 fois plus rapide?
Boh, ca va, encore 2012 ans à attendre...
![:petrus: :petrus:](images/smileys/petrus.gif)
zion:
La mémoire flash jusqu'à 500 fois plus rapide?
Merde
![:lol: :lol:](images/smileys/laugh.gif)