Première mondiale qui annonce une voie économique vers plus de données, de photos et de musiques sur les appareils d’électronique grand public et micro-informatiques

EN BREF…

· Intel et Micron prennent une longueur d’avance avec la gravure en 25 nm.

· Nouvelle mémoire flash 25 nm qui annonce une voie plus économique pour augmenter la capacité de stockage des baladeurs audio/multimédias, des téléphones multifonctions et des unités de stockage SSD.

· La gravure en 25 nm produit 8 Go de stockage sur une seule puce NAND, une grande capacité pour les appareils grand public.

Kontich, le 2 février 2010 – Intel Corporation et Micron Technology, Inc. ont annoncé aujourd’hui la réalisation de la première puce NAND gravée en 25 nanomètres (nm). Celle-ci constitue un tremplin plus économique pour augmenter la capacité de stockage de terminaux grand public tels que les téléphones multifonctions (smartphones), les baladeurs audio et multimédias ainsi qu’une nouvelle catégorie d’unités de stockage SSD (Solid-State Drives).

C’est en effet sur de la mémoire flash NAND que sont stockées de manière rémanente, c’est-à-dire même après extinction de l’appareil, les données et contenus des produits de microélectronique. Les progrès vers une technique de gravure NAND plus fine augurent de l’élaboration et de l’introduction continues de nouveaux usages de cette technologie. Or, non seulement le 25 nm représente la plus grande finesse de gravure NAND à ce jour, mais c’est aussi le plus fin de toute l’industrie des semi-conducteurs, véritable prouesse technique qui poursuivra la tendance à plus de musiques, de vidéos et d’autres donnés pour les appareils actuels d’électronique grand public et de micro-informatique.

Fabriquée par IM Flash Technologies (IMFT), coentreprise fondée par Intel et Micron, la mémoire flash 25 nm est d’une capacité de 8 gigaoctets (Go) pour une seule unité NAND, ce qui représente une grande capacité de stockage face à la miniaturisation dont bénéficient les appareils concernés. D’une superficie d’à peine 167 mm² — elle passe par le trou central d’un disque compact —, elle dispose pourtant d’une capacité dix fois plus importante que ce même CD (d’une capacité, lui-même, de 700 Mo).

Grâce à leur engagement et leurs investissements dans la recherche et le développement NAND, Intel est Micron sont parvenus à doubler la densité de cette mémoire flash tous les dix-huit mois environ, ce qui se traduit par des produits plus compacts, plus économiques et de plus grande capacité. IMFT a démarré sa production en 2006 avec un procédé de gravure en 50 nm, suivi par le 34 nm en 2008. Aujourd’hui, avec le 25 nm et la lithographie la plus fine du secteur des semi-conducteurs, les deux entreprises confortent leur primauté dans les techniques de fabrication.

Brian Shirley, Vice President de Micron chargé du Memory Group : « Prendre une longueur d’avance sur tout le secteur des semi-conducteurs avec le procédé de gravure le plus évolué qui soit représente un exploit pour Intel et Micron et nous comptons repousser encore les limites de la miniaturisation. Cette technique de gravure aura des avantages importants pour nos clients, grâce à une densification des solutions médias. »

Tom Rampone, Vice President d’Intel responsable du NAND Solutions Group : « Grâce à nos investissements continus dans IMFT, financiers et autres, nous proposons une technologie et une technique de fabrication leaders, qui se traduisent par la mémoire NAND la plus économique et la plus fiable qui soit. Ce progrès contribuera à accélérer l’adoption des solutions SSD en informatique. »

Au stade des échantillons pour l’instant, la nouvelle unité 25 nm de 8 Go devrait entrer en production de série au deuxième trimestre 2010. Aux fabricants d’électronique grand public, elle assure le niveau de densité le plus élevé pour une matrice à cellules multiniveaux (MLC) à 2 bits par cellule qui loge dans un conditionnement standard TSOP (Thin Small-Outline Package). On peut d’ailleurs en superposer plusieurs dans un même conditionnement pour augmenter la capacité de stockage. A capacité égale, elle réduit de moitié le nombre de puces par rapport à la technique de gravure précédente, ce qui se traduit par des mémoires plus petites mais plus denses ainsi que par une réduction des coûts. Ainsi, une unité de stockage SSD de 256 Go n’a plus besoin que de trente-deux de ces puces (au lieu de soixante-quatre précédemment), un téléphone multifonctions de 32 Go de quatre et une carte flash de 16 Go de deux.

Liens

Pour consulter l’actualité de Micro et d’Intel

· Blog sur les innovations Micron : www.micronblogs.com *
· Micron sur Twitter* : http://twitter.com/microntechnews *
· Salle de presse Micron : www.micron.com/media *
· Salle de presse Intel : www.intel.com/pressroom * et www.intel.fr/pressroom
· Blogs Intel : blogs.intel.com *
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Intel Corporation (NASDAQ : INTC)

Numéro un mondial du circuit intégré et du semi-conducteur, Intel met au point des technologies, élabore des produits et entreprend des actions pour faire progresser en permanence les modes de vie et de travail. Des informations complètes sur la société sont disponibles sur le site Internet d’Intel à partir de la page www.intel.fr ou blogs.intel.com *. Pour plus de détails sur les solutions Intel® de mémoire flash NAND : www.intel.com/go/ssd *.

Micron Technology, Inc. (NASDAQ : MU)

Micron Technology est l’un des plus grands fournisseurs mondiaux de solutions de pointe à base de semi-conducteurs. Par l’intermédiaire de son périmètre international, l’entreprise fabrique et commercialise de la mémoire DRAM et flash NAND, d’autres composants microélectroniques et des modules mémoire équipant le dernier cri des produits informatiques, grand public, pour les réseaux et nomades. Renseignements complémentaires : www.micron.com *.